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N-Kanal MOSFET NTD4960N-1G
[48250]
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Laqer: 0

Ersatzprodukt: 64500

Spezifikation:

  • FET Typ: MOSFET N-Kanal, Metalloxid
  • FET Funktion: Logic Level Gate
  • Drain zu Source Spannung (Vdss): 30V
  • Strom - dauerhaft (Id) @ 25° C: 8.9A
  • Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Eingangskapazität (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 15V
  • Verlustleistung - Max: 1.07W
  • Montage: zur Durchsteckmontage ('through-hole')
  • Gehäuse: TO-251-3


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Dieses Produkt haben wir am Freitag, 26. Oktober 2012 in unseren Katalog aufgenommen.
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