Laqer: 0

Spezifikation:

• FET Typ: MOSFET N-Kanal, Metalloxid
• FET Funktion: Logic Level Gate
• Drain zu Source Spannung (Vdss): 20V
• Strom - dauerhaft (Id) @ 25° C: 5.9A
• Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
• Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
• Eingangskapazität (Ciss) @ Vds: 410pF @ 20V
• Verlustleistung - Max: 2.0W
• Montage: SMD
• Gehäuse: SOT-23-3

Dokumente:

• Datenblatt